为了实现最佳的机械和热连接,功率半导体通常通过板上芯片技术(COB)无外壳封装地装配在电路载体上。除了导电粘合剂之外,还可使用金属焊料来满足高散热的要求。通常可通过回流焊或真空钎焊在几乎没有空气夹杂物(低空隙)的情况下处理焊料,这确保了半导体和基材之间高导热、低电压的连接。真空钎焊可确保在焊接过程中实现无残留的焊接工艺,并且放弃使用减少表面的助焊剂。可借助银烧结将半导体安装到基材上,从而达到特别高的散热性能。与金属软焊料相比,该工艺所允许的工作温度更高(T> 300 °C)。金属软焊料允许的最高工作温度受到焊料液相线温度的限制。
基于氮化铝陶瓷基覆铜板(AlN-DCB)技术之上的铝碳化硅轻质散热器碳化硅功率模块
功率半导体与电路间的电接触通过微型金焊线、微型铝焊线或焊线直径超过100μm的铝焊线键合实现,可达到最高的载流能力。引线键合的热质量高,导热性好,因此也可有效帮助功率半导体冷却。对于开关时间极短的高频应用,带状键合(Ribbon-Bonds)可用于半导体的低电感连接,并可降低由于导线表面电导率降低而导致的高欧姆损耗(趋肤效应)。
驱动电子设备用换向器混合电路
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