Diese Avalanche-Photodioden wurden speziell für LIDAR-Anwendungen und Laser-Entfernungsmesser entwickelt. Mit dieser Serie wird die fundamentale Technologie für die Entwicklung von Arrays mit vielen aktiven Sensorflächen zum Beispiel 8, 16, 32 Pixel bereitgestellt. Arrays mit 4 Flächen werden als Quadranten-APDs bezeichnet.
Spezielle EigenschaftenArtikel # | Chip | Gehäuse | Aktive Flächen | Quantenausbeute (QE) |
3005259 | 16AA0.13-9 | SOJ22GL | 16 | > 80 % bei 760-910 nm mit NTC |
3001411 | 16AA0.4-9 | SOJ22GL | 16 | > 80 % bei 760-910 nm |
3001421 | QA4000-10 | TO8Si | 4 | High QE bei 850-1070 nm |
3001284 | QA4000-10 | TO8S | 4 | High QE bei 850-1070 nm |
Artikel # | Gehäuse |
3005259 | OJ22GL APD-Array 16 Elemente |
3001411 | SOJ22GL APD-Array 16 Elemente |
3001421 | TO8Si Quadranten-Avalanche-Photodiode |
3001284 | TO8S Quadranten-Avalanche-Photodiode |
* Für große Bildschirme enthält diese Tabelle weitere Spezifikationen. Für mobile Endgeräte werden diese ausgeblendet.
Technische Spezifikationen und PDF Datenblatt
Artikel # | Chip | Gehäuse | Typ |
3005542 | 16AA0.4-9 | on PCB | 16 element APD array with 4 (4) channel TIA's Vermerk: Auf Anfrage für Bemusterungen in LiDAR-Projekten |
3005561 | 16AA0.13-9 | on PCB | 16 element APD array with NTC With 4 (4) channel TIA's |
Technische Spezifikationen und PDF Datenblatt *
Artikel # | Chip | Gehäuse |
3005542 | 16AA0.4-9 | on PCB |
* Für große Bildschirme enthält diese Tabelle weitere Spezifikationen. Für mobile Endgeräte werden diese ausgeblendet.
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