First Sensor développe et fabrique des photodiodes en série avec différentes technologies.
Le matériau et la transformation peuvent être adaptés aux exigences produit du client afin d'optimiser des paramètres spécifiques, tels que la sensibilité à différentes longueurs d'ondes, la rapidité et la capacité, en fonction de l'application. Nous vous conseillons avec plaisir sur le choix de la technologie optimale pour votre application.
Sensibilité spectrale, T=23 °C
La photodiode est un composant actif qui génère une tension électrique (effet photovoltaïque) ou un photocourant lorsqu'il est éclairé. La base physique de ce fonctionnement est la jonction p-n dans le semi-conducteur silicium. Si les photons sont absorbés avec suffisamment d'énergie dans le détecteur, des porteurs de charge (paires électron-trou) se forment. Ceux-ci sont séparés dans la zone de charge d'espace, ce qui crée le photocourant.
La séparation de charge se produit même sans tension appliquée de l'extérieur, mais peut être accélérée par une telle tension de blocage. Le photocourant reste linéaire à la quantité de lumière incidente sur plusieurs ordres de grandeur, si la diode ne fonctionne pas dans un état de saturation.
L'état de fonctionnement en tant qu'élément ou en tant que diode dépend du circuit externe. Lorsqu'elle fonctionne en tant qu'élément, la diode est connectée directement au consommateur sans source de tension externe. Avec ce mode de fonctionnement, aucun courant d'obscurité ne circule, ce qui facilite la détection d'intensités minimales.
Lorsqu'elle fonctionne en tant que diode, une source de tension externe est connectée en série avec le consommateur, ou la tension est appliquée en sens inverse. Ce mode de fonctionnement est idéal pour les applications nécessitant une réponse rapide du signal. L'inconvénient majeur est le courant d'obscurité qui augmente de façon exponentielle avec la température.
Le terme PIN signifie qu'une diode de type p se trouve sur une zone quasi-isolante, en général la zone de charge d'espace, dans un substrat de type n. Mais cette désignation est aussi utilisée pour les composants avec une conductivité inverse, si aucun autre effet non-linéaire n'est utilisé dans ce composant.
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